Görsel mevcut değil
HGT1S3N60B3S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGT1S3N60B3S Hakkında
HGT1S3N60B3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A collector akımına ve 600V breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 33.3W maksimum güç dağıtabilir. 21nC gate charge ve 16ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Td(on) 18ns, Td(off) 105ns değerleriyle yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Endüstriyel motor kontrol, DC-DC konvertörleri, enerji çevirici sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
33.3 W
Reverse Recovery Time (trr)
16 ns
Supplier Device Package
TO-263AB
Switching Energy
66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/105ns
Test Condition
480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V