Görsel mevcut değil
HGT1S3N60B3DS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGT1S3N60B3DS Hakkında
HGT1S3N60B3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A maksimum akım ve 600V kırılma gerilimi ile çalışan N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek verimliliği desteklemek üzere tasarlanmıştır. 18 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum 33.3W güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. Ac-dc dönüştürücüler, motor sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
18 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
33.3 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
TO-263AB
Switching Energy
66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/105ns
Test Condition
480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V