Görsel mevcut değil
HGT1S20N60C3R
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
HGT1S20N60C3R Hakkında
HGT1S20N60C3R, Rochester Electronics tarafından üretilen 40A kolektör akımına sahip bir N-Channel IGBT transistördür. 600V gerilim dayanımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılan türlü bir komponenttir. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrolü gibi alanlarda yer almaktadır. 80A pulsed akım kapasitesi ve 164W maksimum güç yeteneği ile yüksek akım gereksinimi olan sistemlerde tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, soğuk ve sıcak ortamlardaki uygulamalar için uygun hale getirir. 116nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
116 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
164 W
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V