Görsel mevcut değil
HGT1S20N60B3S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 40A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGT1S20N60B3S Hakkında
HGT1S20N60B3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 40A maksimum collector akımı ve 600V breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Surface mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç elektronikleri devreleri, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Standard input type ile karakterize edilen HGT1S20N60B3S, elektrik şebekesi, endüstriyel kontrol sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
7 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Supplier Device Package
TO-263AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V