Görsel mevcut değil
HGT1S15N120C3S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
HGT1S15N120C3S Hakkında
HGT1S15N120C3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 35A kolektör akımı ve 1200V kırılma gerilimi ile çalışan N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 100 nC kapı yükü ve standart giriş tipi özellikleri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, maksimum 164W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 15A kolektör akımında 3.5V'tur. 120A pulse kolektör akımı özelliği ile geçici yükleme durumlarında işletilmek üzere tasarlanmıştır. Endüstriyel invertörler, servo kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
100 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
164 W
Supplier Device Package
TO-263AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.5V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V