Görsel mevcut değil
HGT1S15N120C3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
HGT1S15N120C3 Hakkında
HGT1S15N120C3, Rochester Electronics tarafından üretilen 35A, 1200V N-CHANNEL IGBT transistörüdür. TO-262-3 (I²Pak) paketine sahip bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 120A pulse collector akımı kapasitesi, 100nC gate charge değeri ve 3.5V maksimum Vce(on) ile verimli işlem sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 164W maksimum güç dağıtabilir. Güç dönüştürme, motor kontrol devreleri, endüstriyel uygulamalar ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda yer bulur. Through-hole montajı ile PCB tasarımında esneklik sunar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
100 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
164 W
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.5V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V