Görsel mevcut değil
HGT1S12N60C3R
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 24A, 600V N-CHANNEL IGBT
HGT1S12N60C3R Hakkında
HGT1S12N60C3R, Rochester Electronics tarafından üretilen 24A sürekli kollektör akımı ve 600V yıkılma voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 71 nC gate charge ve 2.2V @ 15V, 12A koşullarında açık durumda voltaj düşüşü özelliklerine sahiptir. Ön taraf geçiş süresi 37ns, arka taraf geçiş süresi 120ns olan bu transistör, endüstriyel uygulamalar, şarj cihazları, motor kontrol devreleri, inverterler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 48A pulse akım kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
48 A
Gate Charge
71 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
104 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Switching Energy
400µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/120ns
Test Condition
480V, 12A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V