Görsel mevcut değil
HGT1S12N60C3DS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
HGT1S12N60C3DS Hakkında
HGT1S12N60C3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 24A sürekli collector akımı ve 96A pulsed akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 600V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan transistör, 2.2V (15V, 15A koşullarında) VCE(on) değeri ve 71nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında etkindir. -40°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 104W maksimum güç yönetebilir. 32ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. Motor kontrol, switched mode power supplies (SMPS), inverter ve diğer AC/DC dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
71 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
104 W
Reverse Recovery Time (trr)
32 ns
Supplier Device Package
TO-263AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V