Görsel mevcut değil
HGT1S12N60C3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGT1S12N60C3 Hakkında
HGT1S12N60C3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 600V maksimum collector-emitter gerilimi ve 24A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maximum 96A pulse akımı kapasitesi bulunan bu bileşen, anahtarlama (switching) devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilmektedir. TO-262 (I²Pak) kılıfında sunulan transistör, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 104W maksimum güç dağıtmaktadır. 62nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
62 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
104 W
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V