Görsel mevcut değil
HGT1S12N60B3S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGT1S12N60B3S Hakkında
HGT1S12N60B3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 27A, 600V N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu komponent, kontrollü anahtarlama ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 110A'lık atımlı akım kapasitesi, 68nC kapı yükü ve 2.1V tipik iletim voltajı ile verimli şalter karakteristiği sağlar. 26ns açılış ve 150ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Endüstriyel sürücüler, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
27 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
110 A
Gate Charge
68 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
104 W
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Switching Energy
304µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/150ns
Test Condition
480V, 12A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V