Görsel mevcut değil
HGT1S12N60B3DS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/
HGT1S12N60B3DS Hakkında
HGT1S12N60B3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen 27A kolektör akımı ve 600V desen gerilimi ile çalışan N-Channel IGBT transistörüdür. Standart input tipinde tasarlanan bu bileşen, TO-263AB paketinde sunulmaktadır. 110A darbe akımı kapasitesi ile geçici yüksek akım taleplerini karşılayabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate charge değeri 78 nC olup, 26ns/150ns hızlı açılma/kapanma zamanları sunar. 2.1V tipik Vce(on) değeri ile enerji kaybı minimumda tutulur. 304µJ açılma ve 250µJ kapanma enerji değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Güç elektronikleri uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü ve endüstriyel inverter devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
27 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
110 A
Gate Charge
78 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
104 W
Supplier Device Package
TO-263AB
Switching Energy
304µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/150ns
Test Condition
480V, 12A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V