Görsel mevcut değil
HGT1S12N60B3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGT1S12N60B3 Hakkında
HGT1S12N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen 27A, 600V N-Channel IGBT transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım ve voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. Maximum 104W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel kontrol sistemleri, AC motor kontrolleri, ısıtma sistemi sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 68nC gate charge ile hızlı ve etkin anahtarlama özellikleri sağlar. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile +150°C arasında değişmektedir. 26ns açılış ve 150ns kapanış gecikmesi sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
27 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
110 A
Gate Charge
68 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
104 W
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Switching Energy
304µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/150ns
Test Condition
480V, 12A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V