Görsel mevcut değil
HGT1S12N60A4DS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
HGT1S12N60A4DS Hakkında
HGT1S12N60A4DS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 54A sürekli kolektör akımı (pulsed 96A) ve 600V kırılma voltajı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 167W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Gate charge değeri 120nC ile hızlı komutasyon özelliği gösterir. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişir. Switching energy değerleri (55µJ açılış, 50µJ kapanış) ile düşük enerji kaybı sağlar. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol sürücüleri ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Gate Charge
120 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
Supplier Device Package
TO-263AB
Switching Energy
55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/96ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V