Görsel mevcut değil
HGT1S10N120BNS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT, 35A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
HGT1S10N120BNS Hakkında
HGT1S10N120BNS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistörüdür. 35A collector akımı ve 1200V collector-emitter gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun bir half-bridge anahtarlaması bileşenidir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. NPT (Non-Punch Through) teknolojisi kullanılmış olup, 298W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 10A akımda 2.7V olup, hızlı anahtarlama karakteristiği (on: 23ns, off: 165ns) sayesinde kayıp gücü en aza indirmektedir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
298 W
Supplier Device Package
TO-263AB
Switching Energy
320µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/165ns
Test Condition
960V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V