Görsel mevcut değil
FGY75N60SMD
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGY75N60SMD Hakkında
FGY75N60SMD, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 kılıfında sunulan bu komponent, maksimum 150A sürekli kolektör akımı (pulse modunda 225A) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 750W maksimum güç disipasyonuna sahip olan cihaz, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 2.5V Vce(on) değeri ve düşük switching energy özellikleri (2.3mJ açılış, 770µJ kapanış) ile enerji verimliliği sunar. 55ns reverse recovery time ve 248nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Gate Charge
248 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Variant
Part Status
Active
Power - Max
750 W
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Supplier Device Package
PowerTO-247-3
Switching Energy
2.3mJ (on), 770µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/136ns
Test Condition
400V, 75A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V