Görsel mevcut değil
FGP3040G2-F085
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGP3040G2-F085 Hakkında
FGP3040G2-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 41A collector akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 150W maksimum güç yönetim kapasitesi ile endüstriyel sürücüler, motor kontrolü, kaynak makineleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 4V gate voltajında 6A akımda 1.25V Vce(on) değeri ile düşük açık durumu kaybı sağlar. 21nC gate charge ve 900ns açılış / 4.8µs kapanış zamanı hızlı anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C
900ns/4.8µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.25V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V