Görsel mevcut değil
FGH50N3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGH50N3 Hakkında
FGH50N3, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bir güç elektronik anahtarlama elemanıdır. 75A maksimum collector akımı ve 300V breakdown voltajı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu IGBT, 463W maksimum güç dağıtımı kapabiliyetine sahiptir. PT tipi işletim yapısı ile tasarlanmış olup, 180nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. On/off geçiş süreleri sırasıyla 20ns/135ns olup, enerji kayıpları 130µJ (açılış) ve 92µJ (kapanış) seviyesindedir. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel invertör, motor sürücü, güç kaynağı ve kaynak makineleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
180 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
463 W
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
130µJ (on), 92µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/135ns
Test Condition
180V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V