Görsel mevcut değil
FGH50N3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Aile / Seri
- FGH50N3
FGH50N3 Hakkında
FGH50N3, Rochester Electronics tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bir güç elektronik anahtarlama elemanıdır. 75A maksimum collector akımı ve 300V breakdown voltajı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu IGBT, 463W maksimum güç dağıtımı kapabiliyetine sahiptir. PT tipi işletim yapısı ile tasarlanmış olup, 180nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. On/off geçiş süreleri sırasıyla 20ns/135ns olup, enerji kayıpları 130µJ (açılış) ve 92µJ (kapanış) seviyesindedir. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel invertör, motor sürücü, güç kaynağı ve kaynak makineleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
180 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
463 W
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
130µJ (on), 92µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/135ns
Test Condition
180V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V
İlgili Ürünler