Görsel mevcut değil
FGH40T120SMD
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGH40T120SMD Hakkında
FGH40T120SMD, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 80A sürekli kolektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 555W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile inverter, motorlar, UPS sistemleri ve endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasında değişmektedir. Düşük geçiş kaybı (Vce(on): 2.4V @ 40A) ve hızlı anahtarlama karakteristiği (Td on/off: 40ns/475ns) ile enerji verimliliği sağlamaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
370 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
555 W
Reverse Recovery Time (trr)
65 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/475ns
Test Condition
600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V