Görsel mevcut değil
FGH30T65UPDT_F155
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGH30T65UPDT_F155 Hakkında
FGH30T65UPDT_F155, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. 60A maksimum collector akımı ve 90A pulse akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 2.3V düşük on-state voltajı ve 155nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Switching energy değerleri sırasıyla on için 760µJ, off için 400µJ'dır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen komponent, invertörler, motor kontrolleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer alır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
155 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
33 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
760µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/139ns
Test Condition
400V, 30A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V