Görsel mevcut değil
FGD3N60LSDTM-T-FS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
FGD3N60LSDTM-T-FS Hakkında
FGD3N60LSDTM-T-FS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 6A sürekli collector akımı ve 25A maksimum pulsed akım kapasitesine sahiptir. 40W maksimum güç harcaması ile inverter, motor kontrol, anahtarlama cihazları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-252 DPak yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar gerçekleştirilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmuştur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25 A
Gate Charge
12.5 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Reverse Recovery Time (trr)
234 ns
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Switching Energy
250µJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/600ns
Test Condition
480V, 3A, 470Ohm, 10V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.5V @ 10V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V