Görsel mevcut değil
FGD3N60LSDTM-T
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- INTEGRATED CIRCUIT
FGD3N60LSDTM-T Hakkında
FGD3N60LSDTM-T, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 6A maksimum collector akımı ve 25A pulsed akım kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 40W maksimum güç dağıtım kapasitesine ve 1.5V Vce(on) değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetim devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 234ns reverse recovery time ve hızlı td(on/off) karakteristikleriyle, yüksek frekanslı anahtarlama devrelerine uygundur. Ürün şu anda obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25 A
Gate Charge
12.5 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
40 W
Reverse Recovery Time (trr)
234 ns
Supplier Device Package
TO-252AA
Switching Energy
250µJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/600ns
Test Condition
480V, 3A, 470Ohm, 10V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.5V @ 10V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V