Görsel mevcut değil
FGD3440G2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 26.9A, 450V, N CHANNEL, DPA
FGD3440G2 Hakkında
FGD3440G2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 26.9A collector akımı ve 450V anahtarlama kapasitesi ile orta ila yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 166W maksimum güç dağıtımı yapabilir. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışır. Vce(on) değeri 1.2V (4V gate voltajında, 6A akımda) olup, 5.3µs switch-off zamanı ile hızlı anahtarlama sağlar. 24nC gate charge ile düşük sürüş gücü gereksinimi vardır. Motor kontrol devreleri, AC/DC konvertörler, kaynak cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
26.9 A
Gate Charge
24 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
166 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C
-/5.3µs
Test Condition
300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.2V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V