Görsel mevcut değil
FGD3040G2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 400V 41A 150W DPAK
FGD3040G2 Hakkında
FGD3040G2, Rochester Electronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-252-3 (DPak) paket içinde sunulan bu komponent, 400V collector-emitter breakdown voltajında 41A maksimum collector akımını destekler. 150W maksimum güç disipasyon kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 21 nC olup, açılış/kapanış geçiş süresi (Td) 4.8µs'dir. Vce(on) değeri 6A akım ve 4V gate voltajında 1.25V olarak belirtilmiştir. Logic input türü ile çalışan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve benzer uygulamalarda kullanılır. Surface mount kurulum türü sayesinde modern PCB tasarımlarına uygun montaj sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C
-/4.8µs
Test Condition
300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.25V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V