Görsel mevcut değil
FGB7N60UNDF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGB7N60UNDF Hakkında
FGB7N60UNDF, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. NPT teknolojisi ile tasarlanan bu transistör, maksimum 14A collector akımı ve 21A pulsed akım kapasitesine sahiptir. TO-263 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan komponent, 83W maksimum güç disipasyonu ile AC motor sürücüleri, güç kaynakları, inverterler ve indüktif yük anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Düşük gate charge (18nC) ve hızlı switching özellikleri (on: 5.9ns, off: 32.3ns) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
21 A
Gate Charge
18 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
83 W
Reverse Recovery Time (trr)
32.3 ns
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Switching Energy
99µJ (on), 104µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
5.9ns/32.3ns
Test Condition
400V, 7A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V