Görsel mevcut değil
FGB40N6S2T
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- N-CHANNEL IGBT
FGB40N6S2T Hakkında
FGB40N6S2T, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel IGBT transistörüdür. 600V collector-emitter kırılma gerilimi ve 75A maksimum collector akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 290W maksimum disipasyon gücü, 35nC gate charge ve düşük switching enerjisi (on için 115µJ, off için 195µJ) sayesinde verimli anahtarlama sağlar. TO-263 (D²Pak) Surface Mount pakajında sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. İnverter, konvertör, motor kontrol ve güç elektronik devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akımda 2.7V ile sınırlıdır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
35 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
290 W
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Switching Energy
115µJ (on), 195µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
8ns/35ns
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V