Görsel mevcut değil
FGB40N6S2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- N-CHANNEL IGBT
FGB40N6S2 Hakkında
FGB40N6S2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V breakdown voltajı ve 75A maksimum collector akımı ile uygulamada yüksek güç anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. 290W maksimum güç hızlı anahtarlama hızı (8ns turn-on, 35ns turn-off) ile sağlamaktadır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketi ile PCB tasarımlarında alan tasarrufu sağlar. Endüstriyel sürücü devreler, UPS sistemleri, motor kontrol ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
35 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
290 W
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Switching Energy
115µJ (on), 195µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
8ns/35ns
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V