Görsel mevcut değil
FGB40N60SM
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGB40N60SM Hakkında
FGB40N60SM, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. Field Stop teknolojisine sahip bu bileşen, maksimum 80A sürekli collector akımı ile çalışabilir ve 120A'ye kadar pulse akım toleransına sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) kasa tipinde surface mount uygulamalara uygun olarak tasarlanmıştır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan komponent, 349W maksimum güç dağıtımı yapabilir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 40A collector akımında 2.3V olarak belirtilmiştir. 12ns açılış ve 92ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç elektronikleri uygulamaları, motor kontrol devreleri, inverter ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
119 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
349 W
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Switching Energy
870µJ (on), 260µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/92ns
Test Condition
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V