Görsel mevcut değil
FGA6560WDF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
FGA6560WDF Hakkında
FGA6560WDF, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 120A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, 306W maksimum güç yayılımına kapasitedir. Gate charge 84nC, switching energy ise on/off için sırasıyla 2.46mJ/520µJ'dir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücüler, motor kontrolü, solar inverterler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 110ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
84 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
306 W
Reverse Recovery Time (trr)
110 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25.6ns/71ns
Test Condition
400V, 60A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V