Görsel mevcut değil
FGA6065ADF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA6065ADF Hakkında
FGA6065ADF, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisinde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 650V maksimum collector-emitter gerilimi ve 120A maksimum collector akımına sahip bu bileşen, 306W güç dağıtımı kapasitesi ile yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde yerleştirilmiş olan FGA6065ADF, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 110ns reverse recovery süresi ve 2.46mJ açılış / 520µJ kapanış switching enerjisi sayesinde, endüstriyel sürücü devreleri, invertör uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde kullanıma uygundur. Standard input tipli bu transistör, hızlı switching özellikleri ile enerji verimliliğini artırır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Gate Charge
84 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
306 W
Reverse Recovery Time (trr)
110 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25.6ns/71ns
Test Condition
400V, 60A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V