Görsel mevcut değil
FGA40T65SHDF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA40T65SHDF Hakkında
FGA40T65SHDF, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 80A DC collector akımı ile tasarlanmıştır. Yüksek güç uygulamalarında anahtarlama (switching) işlevlerini gerçekleştirmek için kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, motorlar, güç dönüştürücüler, invertörler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 268W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle, 101ns reverse recovery time ve hızlı switching karakteristikleriyle (-55°C ile +175°C işletme sıcaklığı aralığında) güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
68 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
268 W
Reverse Recovery Time (trr)
101 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
1.22mJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/64ns
Test Condition
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.81V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V