Görsel mevcut değil
FGA40S65SH
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA40S65SH Hakkında
FGA40S65SH, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip tekil IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 80A collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P-3 (SC-65-3) DIP paketinde sunulan bu komponent, 268W maksimum güç yönetebilir. Switching karakteristikleri 25°C'de 19.2ns açılış ve 68.8ns kapanış zamanı ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Invertörler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılan endüstriyel seviye bir transistördür.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
73 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
268 W
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
194µJ (on), 388µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19.2ns/68.8ns
Test Condition
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.81V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V