Görsel mevcut değil
FGA40N65SMD
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN
FGA40N65SMD Hakkında
FGA40N65SMD, Rochester Electronics tarafından üretilen Field Stop IGBT transistörüdür. 650V kollektör-emitör gerilimi ve 80A maksimum akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, 349W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 42ns reverse recovery time ve düşük switching energy değerleri (on: 820µJ, off: 260µJ) ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel motor kontrol devreleri, kaynak makineleri, UPS sistemleri ve güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
119 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
349 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
820µJ (on), 260µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/92ns
Test Condition
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V