Görsel mevcut değil
FGA30T65SHD
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30T65SHD Hakkında
FGA30T65SHD, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/60A kapasiteli Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 238W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 31.8ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon performansı sağlar. -55°C ile +175°C aralığında güvenilir çalışma sunmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 30A kolektör akımında 2.1V'tur. Through-hole montaj tipine sahip olup endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Gate charge karakteristiği 54.7nC'dir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
54.7 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
238 W
Reverse Recovery Time (trr)
31.8 ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Switching Energy
598µJ (on), 167µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14.4ns/52.8ns
Test Condition
400V, 30A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V