Görsel mevcut değil
FGA30S120P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA30S120P Hakkında
FGA30S120P, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojili Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. Maksimum 1300V collector-emitter breakdaown gerilimi ve 60A continuous collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. 348W maksimum güç kapasitesine sahip olan komponent, frekans dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans sunar. TO-3P-3 paket tipi sayesinde Through Hole montajı destekler ve yüksek akım uygulamaları için uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
78 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
348 W
Supplier Device Package
TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1300 V