Görsel mevcut değil
FGA25N120ANTDTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
FGA25N120ANTDTU Hakkında
FGA25N120ANTDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. NPT ve Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 50A sürekli akım ve 90A pulslu akım kapasitesine sahiptir. TO-3P paketinde sunulan transistör, güç kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 200nC gate charge, 350ns reverse recovery time ve düşük Vce(on) değeri (2.65V) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüler ve şalter kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
200 nC
IGBT Type
NPT and Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
312 W
Reverse Recovery Time (trr)
350 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
4.1mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/190ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.65V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V