Görsel mevcut değil
BCW66KHB6327HTLA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
BCW66KHB6327HTLA1 Hakkında
BCW66KHB6327HTLA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 170MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sınırlı güç bütçesi olan devrelerde tercih edilebilir. Kolektör-emiter doyum gerilimi 450mV (50mA/500mA koşullarında) olup, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. RF ve dijital devre tasarımlarında sinyal işleme, darbe sürücüleri ve gerilim regülatörleri gibi uygulamalarda kullanılır. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
170MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V