Görsel mevcut değil
BCW66KHE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
BCW66KHE6327HTSA1 Hakkında
BCW66KHE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Surface Mount NPN Bipolar Junction Transistör (BJT) olup, SOT-23-3 (TO-236-3) paket türünde sunulmaktadır. 45V kollektör-emitter voltajı ve 800mA maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 170MHz transition frequency ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. DC akım kazancı (hFE) 1V Vce ve 100mA akımda minimum 250 değerine sahiptir. Kollektör kesme akımı maksimum 20nA, doyum gerilimi maksimum 450mV (50mA taban, 500mA kollektör akımında) belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışan sıcaklık aralığında kullanılabilir. Endüstriyel kontrol, tüketici elektronikleri ve genel sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
170MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V