Görsel mevcut değil
BCW66GLT3G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 800MA SOT23-3
BCW66GLT3G Hakkında
BCW66GLT3G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hız anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç seviyesi elektronik devrelerde kullanılır. 100 MHz transition frequency ile sağlanan hızlı anahtarlama özelliği, frekans ayarlanabilir uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. Kompakt SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketi ile PCB tasarımında yer ekonomisi sunar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 300mW maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V