Görsel mevcut değil
BC859CLT1G
BC859CLT1G Hakkında
BC859CLT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistor (BJT) olup SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 30V collector-emitter gerilim desteği ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz geçiş frekansı, 420 minimum akım kazancı (2mA, 5V'ta) ve 300mW maksimum güç dağıtımı özellikleriyle ön amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve sinyal kontrol uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv elektronik uygulamalarında da yer alabilir. Lütfen harita kodunun bileşenin üzerinde kontrol edilmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V