Görsel mevcut değil
BC859CE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 100MA SOT23-3
BC859CE6327HTSA1 Hakkında
BC859CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23-3 (TO-236-3) küçük yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 30V kollektör-emiter gerilimi ve 250 MHz transition frequency özellikleriyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 330 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile şehir saat (clock), ses işleme, RF modülleri ve genel sinyal işleme devrelerinde tercih edilmektedir. DC akım kazancı (hFE) tipik olarak 420 @ 2mA, 5V değerinde olup, satürasyon voltajı maksimum 650 mV'dir. Çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) ile sınırlı olup, tüketici elektronikleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. (Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.)
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V