Görsel mevcut değil
BC859-C
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BC859-C Hakkında
BC859-C, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi küçük sinyal bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100 mA kolektör akımı ve 30 V breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 100 MHz transition frequency'si sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralığında işletilmesini sağlar. Maksimum 250 mW güç tüketimiyle düşük güç uygulamalarında yer alır. DC akım kazancı (hFE) 420 minimum değeriyle iyi sinyal amplifikasyonu sağlar. Ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V