Görsel mevcut değil
APT80GA90S
- Üretici
- Microchip
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A
APT80GA90S Hakkında
APT80GA90S, Microchip Technology tarafından üretilen tekil IGBT transistördür. PT (Punch Through) teknolojisine dayanan bu bileşen, maksimum 900V kolektör-emiter geriliminde 80A nominal akım ile çalışır. D³Pak (TO-268AA) paket tipi sayesinde yüksek güç uygulamalarında etkin ısı yayılımı sağlar. 625W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel motorlar, UPS sistemleri, güç kaynakları ve kaynak makineleri gibi uygulamalarda kullanılır. Hızlı anahtarlama özellikleri (on/off: 18ns/149ns), düşük kapı yükü (200nC) ve optimize edilmiş enerji kaybı, verimli ve kompakt devre tasarımına olanak tanır. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
145 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
239 A
Gate Charge
200 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
625 W
Supplier Device Package
D3PAK
Switching Energy
1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/149ns
Test Condition
600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 47A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V