Görsel mevcut değil
APT50GS60BRDQ2G
APT50GS60BRDQ2G Hakkında
APT50GS60BRDQ2G, Microchip Technology tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ve 93A maksimum kolektör akımına sahiptir. 415W maksimum güç kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda anahtarlama görevini gerçekleştirir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 235nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. Reverse recovery time 25ns, switching energy 755µJ (off) dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Invertör, motor kontrolü, AC/DC dönüştürücü ve elektrik trayolarında kullanılan bu transistör, güç elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
93 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
195 A
Gate Charge
235 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
415 W
Reverse Recovery Time (trr)
25 ns
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Switching Energy
755µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
16ns/225ns
Test Condition
400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V