Görsel mevcut değil
APT30GT60BRDQ2G
APT30GT60BRDQ2G Hakkında
APT30GT60BRDQ2G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. NPT (Non Punch Through) teknolojisiyle tasarlanan bu komponent, maksimum 64A DC collector akımı ve 250W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, ağır endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, invertörler, kaynak makineleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 7.5nC gate charge, 22ns reverse recovery time ve düşük 2.5V on-state voltajı ile verimli anahtarlama karakteristikleri sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlayan yüksek entegre devre elemanıdır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
110 A
Gate Charge
7.5 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
22 ns
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Switching Energy
80µJ (on), 605µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/225ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V