Görsel mevcut değil
APT70GR65B2SCD30
APT70GR65B2SCD30 Hakkında
APT70GR65B2SCD30, Microchip Technology tarafından üretilen 650V NPT tipi IGBT transistördür. 134A maksimum collector akımı ve 260A puls collector akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 595W maksimum güç disipasyonu ile sürücü devreleri, endüstriyel kontrol sistemleri, güç dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. 305nC gate charge ve 19ns/170ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 70A collector akımında 2.4V'tur. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
134 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
260 A
Gate Charge
305 nC
IGBT Type
NPT
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
595 W
Supplier Device Package
T-MAX™ [B2]
Td (on/off) @ 25°C
19ns/170ns
Test Condition
433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 70A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V