Görsel mevcut değil
APT50GT120B2RDQ2G
APT50GT120B2RDQ2G Hakkında
APT50GT120B2RDQ2G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. NPT (Non Punch Through) tipi bu transistör, maksimum 94A DC kollektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paket tipi ile through-hole montajına uygundur. 625W maksimum güç dissipasyonu ve 3.7V on-state voltajı (-55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığında) ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 340nC gate charge ve 24ns/230ns (on/off) switching zamanları ile endüstriyel sürücüler, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve elektrik motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
94 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
340 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
625 W
Switching Energy
2330µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/230ns
Test Condition
800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V