Görsel mevcut değil
APT50GP60B2DQ2G
- Üretici
- Microchip
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 150A 625W TMAX
APT50GP60B2DQ2G Hakkında
APT50GP60B2DQ2G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V/150A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 625W güç yönetebilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 2.7V (15V, 50A koşullarında) olan cihaz, hızlı anahtarlama özelliği (19ns on, 85ns off) sayesinde inverter, motor kontrol, güç kaynağı ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 165nC gate charge ile düşük sürüş gereksinimleri olan tasarımlar için uygundur. Standard input tipli PT (punch-through) IGBT teknolojisini kullanan bu bileşen, 190A pulse akım kapasitesi ile geçici yükleri karşılayabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
190 A
Gate Charge
165 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Variant
Part Status
Active
Power - Max
625 W
Switching Energy
465µJ (on), 635µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/85ns
Test Condition
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V