Görsel mevcut değil
APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G Hakkında
APT50GN60BDQ2G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 107A DC kollektör akımı ve 366W güç yeteneğine sahiptir. Teknik özellikleri arasında 1.85V Vce(on) değeri, 325nC gate charge ve 20ns/230ns açılma/kapanma zamanları bulunmaktadır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilen bu IGBT, güç elektronik uygulamalarında, motor sürücülerinde, dc/dc konvertörlerde ve invartörlerde yaygın olarak kullanılır. Through Hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegrasyon sağlar. Kütlü şalt uygulamaları ve yüksek frekanslı anahtarlama gereksinimi olan devrelerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
107 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
325 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
366 W
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Switching Energy
1185µJ (on), 1565µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/230ns
Test Condition
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V