2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
APT45GR65SSCD10 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

APT45GR65SSCD10

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
TO-263-3
Açıklama
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

APT45GR65SSCD10 Hakkında

APT45GR65SSCD10, Microchip Technology tarafından üretilen 650V NPT tipi Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. Surface Mount D²Pak (TO-263AB) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 118A kollektor akımı ve 224A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 543W güç sınırlaması ve 2.4V Vce(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 80ns ters kurtarma zamanı ve 15ns/100ns açılış/kapanış gecikmesiyle hızlı komütasyon özellikleri barındırır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Ürün Obsolete statüsündedir.

Ürün Özellikleri

16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 118 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 224 A
Gate Charge 203 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 543 W
Reverse Recovery Time (trr) 80 ns
Supplier Device Package D3PAK
Td (on/off) @ 25°C 15ns/100ns
Test Condition 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V