Görsel mevcut değil
APT45GR65BSCD10
APT45GR65BSCD10 Hakkında
APT45GR65BSCD10, Microchip Technology tarafından üretilen Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 650V breakdown voltajına sahip bu NPT tipi IGBT, maksimum 118A kolektör akımında çalışabilir ve 543W güç dissipasyonuna dayanıklıdır. Pulse modunda 224A akıma kadar destekler. TO-247-3 paket içinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücüleri, inverterler, kaynak cihazları ve indüktif yük kontrolünde yaygın olarak kullanılır. 15ns açılış ve 100ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Daha düşük Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
118 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
224 A
Gate Charge
203 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
543 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-247
Td (on/off) @ 25°C
15ns/100ns
Test Condition
433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 45A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V